Qual é a diferença entre DRAM e SRAM em termos de aplicação velocidade tamanho e custo?

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Perguntas de revisão 5.1 Quais são as principais propriedades da memória semicondutora?  apresentam dois estados estáveis (ou semiestáveis), que podem ser usados para representar o binário 1 e 0;  são capazes de ser escritas (pelo menos uma vez), para definir o estado; e  são capazes de ser lidas, para verificar o estado. 5.2 Quais são os dois sentidos em que o termo memória de acesso aleatório é usado? Um sentido é que o termo Memória de Acesso Aleatório é usado para caracterizar a memória semicondutora RAM (Random Access Memory), outro sentido é que existem outas memórias como ROM, PROM, EPROM, EEPROM e Memória Flash que o acesso a elas é aleatório, ou seja, palavras individuais da memória são acessadas diretamente por meio da lógica de endereçamento interna. Logo todas essas memórias são Memória de Acesso Aleatório. 5.3 Qual é a diferença entre DRAM e SRAM em termos de aplicação? A DRAM é usada para a memória principal, e a SRAM é usada para a memória cache. 5.4 Qual é a diferença entre DRAM e SRAM em termos das características como velocidade, tamanho e custo? Velocidade: As SRAM geralmente são um pouco mais rápidas que as DRAM. Tamanho: Uma célula de memória dinâmica (DRAM) é mais simples e menor que uma célula de memória estática (SRAM). Custo: A DRAM é mais densa (células menores = mais células por unidade de área) e mais barata que uma SRAM correspondente. Por outro lado, uma DRAM requer o suporte de um circuito de refresh. Para memórias maiores, o custo fixo do circuito de refresh é mais do que compensado pelo menor custo variável das células de DRAM. 5.5 Explique por que um tipo de RAM é considerado como analógico e o outro digital. A RAM Dinâmica (DRAM) é considera analógica pelo fato de armazenar dados como cargas em capacitores, onde a presença ou ausência de carga em um capacitor é interpretada como um binário 1 ou 0 (bits), porém esses capacitores se descarregam com o tempo gradativamente, e exigem uma recarga periódica ("refresh" de memória) para manter o dado armazenado. Já a RAM Estática (SRAM) é considerada digital, pois os valores binários são armazenados por meio de configurações das portas lógicas de um flip-flop tradicional, ela manterá seus dados enquanto houver energia fornecida a ela. 5.6 Quais são algumas aplicações para a ROM? Uma aplicação importante das ROM é a microprogramação. Outras aplicações em potencial incluem:  bibliotecas de funções de uso frequente;  programas do sistema;  tabelas de função. 5.7 Quais são as diferenças entre EPROM, EEPROM e memória flash? A memória somente de leitura programável e apagável (EPROM) é lida e escrita eletricamente. Porém, antes de uma operação de escrita, todas as células de armazenamento precisam ser apagadas para retornar ao mesmo estado inicial, pela exposição do chip empacotado à radiação ultravioleta. Cada apagamento pode levar até 20 minutos para ser realizado. A memória somente de leitura programável e apagável eletricamente (EEPROM) é uma memória principalmente de leitura que pode ser escrita a qualquer momento sem apagar o conteúdo anterior; somente o byte ou os bytes endereçados são atualizados. A operação de escrita leva muito mais tempo do que a operação de leitura, na ordem de muitas centenas de microssegundos por byte. A memória flash (que tem esse nome devido à velocidade com que pode ser reprogramada) é intermediária entre a EPROM e a EEPROM tanto no custo quanto na funcionalidade. Assim como a EEPROM, a memória flash usa uma tecnologia elétrica de apagamento. Uma memória flash inteira pode ser apagada em um ou alguns segundos, o que é muito mais rápido que a EPROM. Além disso, é possível apagar apenas blocos de memória, ao invés de um chip inteiro. Porém, a memória flash não oferece apagamento em nível de byte. 5.8 Explique a função de cada pino na Figura 5.4b. Pinos A0-A10: pinos de linhas de endereço; Pinos D1-D4: pinos de linhas de dados de entrada/saída; Pinos WE e OE: indicam se a operação é de escrita ou leitura; Pino RAS: sinais de seleção de endereço de linha, permitindo a temporização do chip; Pino CAS: sinais de seleção de endereço de coluna, permitindo a temporização do chip; Pinos Vcc: fonte de alimentação para o chip; Pinos Vss: pino de terra; Pino NC: pino de nenhuma conexão que é fornecido para que haja um número par de pinos. 5.9 O que é bit de paridade? Bit de paridade é usado para detectar erro no envio/submissão da mensagem (geralmente caracteres). Para evitar erros na transmissão é adicionado um bit de paridade a mensagem, um bit a mais que segue duas regras simples:  Se o número de bits "1" da mensagem for impar adiciona-se um "1" no final da mensagem;  Se o número de bits "1" da mensagem for par é adicionado um "0" no final da mensagem; Assim se existir um número impar de bits "1" na mensagem, e o bit de paridade for "0" o computador saberá que ocorreu um erro na transmissão. 5.10 Como é interpretada a palavra síndrome para o código de hamming? A palavra síndrome (conjunto de sintomas) do código de hamming é utilizada para descobrir se existe algum erro de leitura de uma palavra armazenada na memória, identifica o bit com erro. 5.11 Como a SDRAM difere de uma DRAM comum? Uma das formas mais utilizadas de DRAM é a DRAM síncrona (SDRAM). Diferente da DRAM tradicional, que é assíncrona, a SDRAM troca dados com o processador sincronizado com um sinal de clock externo e executando na velocidade plena do barramento do processador/memória, sem imposição de estados de espera.

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Qual é a diferença entre uma memória do tipo SRAM e outro do tipo DRAM?

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